试管婴儿

着床期子宫内膜HMGB1表达增加与反复着床失败有关

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子宫内膜容受性受损是复发性植入失败(RIF)的主要原因,但其潜在机制尚不清楚。在本研究中,我们发现对照组(首次胚胎移植后成功受孕的输卵管性不孕症患者)植入期子宫内膜HMGB1表达显著降低(P=0.006)。然而,与对照组相比,RIF患者子宫内膜组织中HMGB1 mRNA和蛋白的表达水平在着床期显著上调(P=0.001),这与全基因组表达谱分析的结果一致。


此外,体外实验表明,人类子宫内膜上皮细胞中HMGB1表达的增加导致支持囊胚和人类胚胎JAR细胞粘附的明显缺陷,模拟胚胎粘附过程。然而,HMGB1的过度表达对人子宫内膜间质细胞系(T-HESC)和原代人子宫内膜间质细胞(HESC)的细胞增殖和体外蜕膜化没有影响。这些发现表明,HMGB1水平的升高抑制了上皮细胞的粘附能力,导致复发性植入失败患者的子宫内膜容受性受损。这一特征可作为临床实践中检测和治疗复发性植入失败的靶点。


未完待续……

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